制造商零件编号：TPC8211(TE12L,Q,M)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 10V

功率 - 最大值：450mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

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