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TPC8211(TE12L,Q,M)-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
  • 封装:8-SOP
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:TPC8211(TE12L,Q,M)

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.5A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1250pF @ 10V

    功率 - 最大值:450mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)

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