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技术资料
制造商零件编号:TPC8207(TE12L,Q)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 4.8A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2010pF @ 10V
功率 - 最大值:450mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
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