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技术资料
制造商零件编号:TPC8111(TE12L,Q,M)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5710pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
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