制造商零件编号：TPC6012(TE85L,F,M)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 20V 6A VS6

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：VS-6（2.9x2.8）

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