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TK7J90E,S1E-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 900V TO-3PN
  • 封装:TO-3P
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:TK7J90E,S1E

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET N-CH 900V TO-3PN

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):900V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2 欧姆 @ 3.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 700μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 25V

    功率 - 最大值:200W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

    供应商器件封装:TO-3P(N)

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