制造商零件编号：TK62N60W,S1VF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：61.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 30.9A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 3.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6500pF @ 300V

功率 - 最大值：400W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247-3

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