制造商零件编号：TK55D10J1(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 27A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 10V

功率 - 最大值：140W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220（W）

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