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技术资料
制造商零件编号:TK3A65D(STA4,Q,M)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.25 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):540pF @ 25V
功率 - 最大值:35W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS
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