制造商零件编号：TK35N65W5,S1F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：35A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 17.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：115nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4100pF @ 300V

功率 - 最大值：270W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

我们提供东芝半导体全系列IC，包含东芝官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解TK35N65W5,S1F。