制造商零件编号：TK31V60W,LVQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：98 毫欧 @ 15.4A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：86nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3000pF @ 300V

功率 - 最大值：240W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-VSFN 裸露焊盘

供应商器件封装：5-DFN （8x8）

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