制造商零件编号：TK12P60W,RVQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：340 毫欧 @ 5.8A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 600μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：890pF @ 300V

功率 - 最大值：100W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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