制造商零件编号：TK11A65W,S5X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：390 mOhm @ 5.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 450μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：890pF @ 300V

功率 - 最大值：35W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220SIS

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