技术资料
制造商零件编号:SSM6N56FE,LM
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):800mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):235 毫欧 @ 800mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):55pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
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