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SSM6N44FE,LM-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
  • 封装:ES6
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:SSM6N44FE,LM

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

    系列:-

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100mA

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 10mA,4V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8.5pF @ 3V

    功率 - 最大值:150mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-563,SOT-666

    供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)

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