制造商零件编号：SSM6L35FU(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，100mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

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