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技术资料
制造商零件编号:SSM6K781G,LF
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 6V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-UFBGA,WLCSP
供应商器件封装:6-WCSPC (1.5x1.0)
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