制造商零件编号：SSM6J212FE(TE85L,F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40.7 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：970pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

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