制造商零件编号：SSM6J08FUTE85LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A US6

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 650mA， 4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：370pF @ 10V

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

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