技术资料
制造商零件编号:SSM5G10TU(TE85L,F)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):213 毫欧 @ 1A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.4nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线
供应商器件封装:UFV
我们提供东芝半导体全系列IC,包含东芝官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解SSM5G10TU(TE85L,F)。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015