制造商零件编号：SSM3K318T,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：107 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 30V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：TSM

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