技术资料
制造商零件编号:SSM3K315T(TE85L,F)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 30V 6A TSM
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):27.6 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 15V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TSM
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