技术资料
制造商零件编号:SSM3J332R,LF(T
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):42 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线
供应商器件封装:SOT-23F
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