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RN2309(TE85L,F)-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:单路﹐预偏压式晶体管
  • 规格:TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • 封装:USM
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:RN2309(TE85L,F)

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

    系列:-

    晶体管类型:PNP - 预偏压

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

    电压 - 集射极击穿(最大值):50V

    电阻器 - 基底 (R1) (Ω):47k

    电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):22k

    不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V

    不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA

    电流 - 集电极截止(最大值):500nA

    频率 - 跃迁:200MHz

    功率 - 最大值:100mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-70,SOT-323

    供应商器件封装:USM

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