技术资料
制造商零件编号:RN1110MFV(TL3,T)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
系列:-
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM
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