制造商零件编号：HN3C10FUTE85LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANSISTOR NPN US6

系列：-

晶体管类型：2 NPN（双）

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：7GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1GHz

增益：11.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

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