技术资料
制造商零件编号:GT50J121(Q)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A
Current - Collector Pulsed (Icm):100A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,50A
功率 - 最大值:240W
Switching Energy:1.3mJ (开), 1.34mJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:-
25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300ns
Test Condition:300V, 50A, 13 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-3PL
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P(LH)
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