制造商零件编号：GT30J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：60A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：1mJ （开）， 800μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：90ns/300ns

Test Condition：300V， 30A， 24 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P（N）

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