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GT10J312(Q)-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:单路IGBT
  • 规格:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • 封装:TO-220SM
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:GT10J312(Q)

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

    系列:-

    IGBT 类型:-

    电压 - 集射极击穿(最大值):600V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A

    Current - Collector Pulsed (Icm):20A

    不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,10A

    功率 - 最大值:60W

    Switching Energy:-

    输入类型:标准

    Gate Charge:-

    25°C 时 Td(开/关)值:400ns/400ns

    Test Condition:300V, 10A, 100 欧姆, 15V

    反向恢复时间 (trr):200ns

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-220SM

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