制造商零件编号：GT10J312(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

Current - Collector Pulsed (Icm)：20A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A

功率 - 最大值：60W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：400ns/400ns

Test Condition：300V， 10A， 100 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：200ns

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-220SM

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