技术资料
制造商零件编号:CMG03(TE12L,Q)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
系列:-
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
电流 - 平均整流 (Io):1A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):880mV @ 1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V
不同 Vr、F 时的电容:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-128
供应商器件封装:M-FLAT(2.4x3.8)
工作温度 - 结:150°C (最大)
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