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2SK880-Y(TE85L,F)-东芝半导体Toshiba
  • 制造商:Toshiba(东芝半导体)
  • 应用:JFET结点场效应管
  • 规格:JFET N-CH 50V 100MW USM
  • 封装:USM
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:2SK880-Y(TE85L,F)

    制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:JFET N-CH 50V 100MW USM

    系列:-

    FET 类型:N 沟道

    电压 - 击穿 (V(BR)GSS):50V

    漏源极电压 (Vdss):-

    不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V

    漏极电流 (Id) - 最大值:-

    不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 100nA

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13pF @ 10V

    电阻 - RDS(开):-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-70,SOT-323

    供应商器件封装:USM

    功率 - 最大值:100mW

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