制造商零件编号：2SK879-GR(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：JFET N-CH USM

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2.6mA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：400mV @ 100nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8.2pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：USM

功率 - 最大值：100mW

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