技术资料
制造商零件编号:2SK3662(F)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5120pF @ 10V
功率 - 最大值:35W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220NIS
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