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技术资料
制造商零件编号:2SK3320-Y(TE85L,F)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:JFET DUAL N-CH USV
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供应商器件封装:USV
功率 - 最大值:200mW
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