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技术资料
制造商零件编号:2SK2777(SM,Q)
制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 10V
功率 - 最大值:65W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-220SM
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