制造商零件编号：CSD88539ND

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

系列：NexFET?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：741pF @ 30V

功率 - 最大值：2.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

我们提供TI德州仪器全系列IC，包含CSD88539ND官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等，帮您全面了解CSD88539ND。