技术资料
制造商零件编号:CSD87351ZQ5D
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
系列:NexFET?
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1255pF @ 15V
功率 - 最大值:12W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-LSON (5x6)
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