技术资料
制造商零件编号:CSD87351Q5D
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
系列:NexFET?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):32A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1255pF @ 15V
功率 - 最大值:12W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-LSON (5x6)
我们提供TI德州仪器全系列IC,包含CSD87351Q5D官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解CSD87351Q5D。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015