制造商零件编号：CSD87333Q3DT

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

系列：NexFET?

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14.3 毫欧 @ 4A， 8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：662pF @ 15V

功率 - 最大值：6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TDFN

供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

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