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CSD87333Q3DT-TI
  • 制造商:TI(德州仪器)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
  • 封装:8-SON
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:CSD87333Q3DT

    制造商:Texas Instruments

    描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

    系列:NexFET?

    FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

    FET 功能:逻辑电平栅极,5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.3 毫欧 @ 4A, 8V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):662pF @ 15V

    功率 - 最大值:6W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-TDFN

    供应商器件封装:8-SON(3.3x3.3)

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