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CSD86350Q5D-TI
  • 制造商:TI(德州仪器)
  • 应用:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
  • 封装:8-SON
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:CSD86350Q5D

    制造商:Texas Instruments

    描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON

    系列:NexFET?

    FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):25V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):40A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,8V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.7nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1870pF @ 12.5V

    功率 - 最大值:13W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘

    供应商器件封装:8-SON(5x6)

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