制造商零件编号：CSD86311W1723

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 2A，8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：585pF @ 12.5V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：12-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：12-DSBGA（1.53x1.98）

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