技术资料
制造商零件编号:CSD83325LT
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
系列:NexFET?
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):-
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:*
封装/外壳:6-XFBGA
供应商器件封装:6 PicoStar
我们提供TI德州仪器全系列IC,包含CSD83325LT官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解CSD83325LT。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015