制造商零件编号：CSD75207W15

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：-

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：162 毫欧 @ 1A， 1.8V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：595pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：9-DSBGA

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