技术资料
制造商零件编号:CSD25481F4
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):88 毫欧 @ 500mA, 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.913nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):189pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN
供应商器件封装:3-PICOSTAR
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