制造商零件编号：CSD25201W15

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：9-DSBGA

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