制造商零件编号：CSD23381F4T

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 12V LGA

系列：FemtoFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 500mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.14nC @ 6V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：236pF @ 6V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：0402（1006 公制）

供应商器件封装：0402

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