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技术资料
制造商零件编号:CSD23202W10T
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):53 毫欧 @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):512pF @ 6V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装:4-DSBGA(0.9x0.9)
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