制造商零件编号：CSD19501KCS

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 80V 100A TO220

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3980pF @ 40V

功率 - 最大值：217W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

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