技术资料
制造商零件编号:CSD18532NQ5B
制造商:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
系列:NexFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):22A(Ta),100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5340pF @ 30V
功率 - 最大值:3.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN
供应商器件封装:8-VSON (5x6)
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