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CSD13303W1015-TI
  • 制造商:TI(德州仪器)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
  • 封装:6-DSBGA
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:CSD13303W1015

    制造商:Texas Instruments

    描述:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

    系列:NexFET?

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):12V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):31A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 mOhm @ 1.5A、 4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 6V

    功率 - 最大值:1.65W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:6-UFBGA,DSBGA

    供应商器件封装:6-DSBGA

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