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STU80N4F6-ST
  • 制造商:ST(ST意法半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N CH 40V 80A IPAK
  • 封装:TO-251
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:STU80N4F6

    制造商:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N CH 40V 80A IPAK

    系列:DeepGATE, STripFET VI

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):40V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.3 毫欧 @ 40A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2150pF @ 25V

    功率 - 最大值:70W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

    供应商器件封装:TO-251

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